Toshiba FeRAM teknolojisini kitlelere ulaştırmak için çalışmalarını sürdürürken, Cornell Üniversitesi’ndeki bir grup araştırmacı da silikon ve strontiyum titanattan oluşan ferroelektrik materyal üzerinde çalışıyor. Bu materyal sayesinde günün birinde “anında-hazır” tranzistörler mümkün olabilir.
Araştırmacılar ferro-elektrik gibi davranan materyale ince davranışlı olarak bilinen strontiyum titanat enjekte ederek bu yapıyı silikon substratının üstünde epitaksi olarak bilinen bir yöntemle yetiştirdiler. Bu materyal silikon molekülleri arasındaki boşluklara sızarak, silikon substrata ferroelektrik özellikleri kazandırdı. Projeyi Amerikan Deniz Kuvvetleri de destekliyor.
İlgili – Cornell Üniversitesi
