Samsung 3 nm çip üretimi için çarkları haziran ayı bitmeden döndürecek. Yonhap News sitesinin haberine göre, önümüzdeki hafta itibarıyla Güney Koreli şirket üretimi başlatacak. Samsung böylelikle TSMC’nin önüne geçmiş olacak. TSMC’ninde yılın ikinci yarısında 3 nm çip üretimine başlaması bekleniyor.
Samsung’un 3 nm çipleri mevcut 5 nm çiplere kıyasla yüzde 35 daha az alan kaplayacak. Buna ek olarak; performansta yüzde 30, düşük güç tüketiminde ise yüzde 50 oranında iyileşme sağlanacak.
Bu iyileştirmeleri mümkün kılan ise transistörlerde Gate-All-Around (GAA) tasarımına geçiş yapılması oluyor. FinFET’ten bir sonraki adım olan GAA ile transistörler küçültülebiliyor ve bu yapılırken akım taşıma yeteneklerine zarar verilmiyor.
Samsung’un 3 nm çip tasarımının sergilenmesi için geçtiğimiz ay Güney Kore’de düzenlenen bir etkinliğe ABD Başkanı Joe Biden da katılmıştı. Şirketin ABD’nin Teksas eyaletinde 3 nm çip üretimi yapmak için 17 milyar dolarlık bir yatırım gerçekleştireceği biliniyor. Üretimin gerçekleştirileceği tesisin 2024 itibarıyla faaliyete geçmesi bekleniyor.
Samsung 3 nm tasarımında 2023 itibarıyla ikinci nesle geçmeyi planlıyor. Şirketin yol haritasında 2025’te de MBCFET mimarisiyle 2 nm çip üretimine başlamak bulunuyor.
