Qualcomm’un Quick Charge 2.0 hızlı şarj teknolojisini giderek daha fazla akıllı telefon ve tablette görür olduk. Bu teknoloji sadece 30 dakikada telefonun pilinin kapasitesinin yüzde 0’dan yüzde 60’a çıkmasını sağlıyor. Ancak Qualcomm daha da mükemmelini arıyor, bu durum San Diego merkezli yonga üreticisinin Quick Charge 3.0 teknolojisini duyurmasına vesile oluyor. Gelecek nesil Snapdragon işlemcili cihazlar bu yeni hızlı şarj teknolojisiyle güçlendirilecek.
Quick Charge 1.0 teknolojisi geleneksel şarja göre yüzde 40 daha hızlıydı. Quick Charge 2.0 ile birlikte yüzde 75 daha yüksek hızı gördük. Quick Charge 3.0 ise Quick Charge 1.0’ın hızını ikiye katlayarak ve Quick Charge 2.0’ınkini yüzde 38 iyileştirerek diğer bütün teknolojileri geride bırakıyor. Qualcomm’un Quick Charge hızlı şarj teknolojisinin üçüncü versiyonu bir akıllı telefonun pilinin sadece 35 saniyede yüzde 0’dan 80’lik şarj seviyesine ulaşmasını sağlayabiliyor.
Bu dudak uçuklatan şarj hızının yanı sıra, Qualcomm hızlı şarj sürecinde ilk kez INOV adını taşıyan ve Optimum Voltaj için Akıllı Pazarlık şeklinde basitçe Türkçeleştirebileceğimiz teknolojiden de yararlanıyor. Yeni algoritma cihazların ne kadar voltaja ihtiyaç duyduklarını belirlemekte yardımcı oluyor. Buna ek olarak daha geniş yelpazede voltaj seçeneklerini destekliyor. Quick Charge 2.0 sadece 5 V, 9 V, 10 V ve 20 V voltaj değerlerine izin verirken, Quick Charge 3.0 ile birlikte mobil cihaz 200 mV’lik voltaj dilimleriyle 3.6 V ile 20 V aralığından seçim yapabiliyor. Ayrıca Quick Charge 3.0 USB Type-C protokolüyle birlikte de çalışabilecek.
Qualcomm, Quick Charge 3.0 teknolojisinin en yeni işlemcileriyle birlikte sunulacağını kaydetti. Yani Snadragon 820, 620, 618 ve 430 işlemcili akıllı telefon ve tabletlerde bu yeni ve daha hızlı şarj teknolojisini göreceğiz. Bunun için de en erken gelecek yılın başını beklememiz gerekiyor.
