Intel ve Micron geçen sene 25 nm flaş bellek üretimi için kolları sıvamıştı. Ancak bu adım her iki şirketi de kesmemiş olacak ki, daha fazlası için çalışmayı sürdürüyorlar. Bu çalışmaların sonucunda karşımıza çıkan ise 20 nm süreciyle üretilmiş, kart üzerinde yüzde 30-40 arasında yer tasarrufu sağlayan 8 GB kapasiteli MLC NAND cihazı oldu.
8 GB’lık yongaların bir araya getirilmesiyle daha fazla depolama alanının sağlanması mümkün. Bu da daha yüksek kapasiteli telefonlara, tabletlere veya SSD’lere kapı açacaktır. Intel ve Micron’un 2011 yılının ikinci yarısında seri üretime geçmeleri bekleniyor. Bu arada Intel ve Micron, bir puldan daha küçük boyutlara sahip ve katı durum depolama çözümünde 128 GB’ye kadar depolama alanı sunan 16 GB’lık cihazı da görücüye çıkarmayı planlıyor.
İlgili – Engadget
